本书以西安理工大学光电材料制备与器件设计团队近20年所开展的GaN基材料制备与场发射特性研究为依托, 通过化学气相沉积法可控制备出塔形、铅笔形、针尖状、绳形、竹叶形、螺旋形及三维分支结构的GaN纳米线, 阐明了这些不同形貌GaN纳米线的合成机理, 发现它们因具有特殊的结构和大的场增强因子而具有优异的光电和场发射特性。
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