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碳化硅器件工艺核心技术图书

作者：泽肯特斯(Zekentes, Konstantinos) 著

瓦西列夫斯基(Vasilevskiy, Konstantin) 著

译者：贾护军译

段宝兴译

单光宝译

出版：机械工业出版社，2024

定价： 189.0

页数： XVI, 411页, [4] 页图版

学科：工学-电子信息类

主题：功率半导体器件

ISBN： 978-7-111-74188-6

丛书：半导体与集成电路关键技术丛书

内容简介

本书共9章, 以碳化硅 (SiC) 器件工艺为核心, 重点介绍了SiC材料生长、表面清洗、欧姆接触、肖特基接触、离子注入、干法刻蚀、电解质制备等关键工艺技术, 以及高功率SiC单极和双极开关器件、SiC纳米结构的制造和器件集成等, 每一部分都涵盖了上百篇相关文献, 以反映这些方面的最新成果和发展趋势。

馆藏情况

馆藏号	馆藏地名称	索书号	文献状态
001691563	西校理科（西区图书馆主楼五楼）定位	TN303 3224	在馆
001691565	西校理科（西区图书馆主楼五楼）定位	TN303 3224	在馆
001691564	西校理科（西区图书馆主楼五楼）定位	TN303 3224	在馆

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