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晶圆级应变SOI技术

作者: 戴显英 著

苗东铭 著

荊熠博 著

出版: 西安电子科技大学出版社 ,2024

定价: 37.0

页数: 150页

学科: 工学-电子信息类

主题: 集成电路工艺

ISBN: 978-7-5606-7406-3

内容简介

本书共分7章, 主要介绍SOI晶圆制备技术、SOI晶圆材料力学特性与结构特性、机械致晶圆级单轴应变SOI技术、高应力氮化硅薄膜致晶圆级应变SOI技术及其相关效应、高应力氮化硅薄膜致应变SOI晶圆制备、晶圆级应变SOI应变模型、晶圆级应变SOI应力分布的有限元计算。

馆藏情况
馆藏号 馆藏地名称 索书号 文献状态
001332025 西校理科 (西区图书馆主楼五楼) 定位 TN405 4364 在馆

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